与此同时，被嫌各大半导体商业公司都紧锣密鼓地开展二维材料器件与集成的相关实验，被嫌其中比利时微电子研究中心（Imec）聚焦于二硫化钼（MoS2）和二硫化钨（WS2）的晶圆级生长，因特尔（Intel）专注于NMOS（基于MoS2）和PMOS（基于二硒化钨WSe2）的协同开发实现互补CMOS逻辑，台积电和麻省理工学院（MIT）合作聚焦于半导体和金属之间的超低阻欧姆接触。

弃的去中2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。专和同年获得化学领域和材料领域汤森路透高被引科学家奖以及最具国际引文影响力奖。

获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、技校香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、技校中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。这项工作表明，被嫌堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。迄今Nature,Acc.Chem.Res.,Chem.Soc.Rev.,J.Am.Chem.Soc.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.等国际化学和材料界等杂志上发表论文500余篇（他引15000余次），弃的去中出版合著4部，弃的去中合作译著1部，担任担任《CCSChemistry》主编、《光电子科学与技术前沿丛书》主编、《中国大百科全书》第三版化学学科副主编、物理化学分支主编。

现任北京石墨烯研究院院长、专和北京大学纳米科学与技术研究中心主任。由于聚（芳基醚砜）的高分子量，技校该膜表现出良好的物理性能。

近期代表性成果：被嫌1、被嫌Angew: 调节单原子掺杂二氧化钛中晶格氧的电荷转移以HER中科院化学研究所姚建年院士和北京交通大学王熙教授分别以TM1/TiO2和HER为模型催化剂和模型反应，系统地研究了催化作用下的电荷转移。

1995年获中国驻日大使馆教育处优秀留学人员称号，弃的去中同年获国家杰出青年科学基金资助。专和(e)Cu(II)与其他同类吸附剂的吸附性能比较。

以第一发明人获得授权发明专利13项，技校单项专利转化额度超100万。被嫌(b)GZS吸附后的EDS（内嵌Cu(II)的映射图）。

弃的去中(l,m)GS与GZS平均孔径的示意图。专和(d)GZS吸附后的总XPS光谱。